Авторизация
Lost your password? Please enter your email address. You will receive a link and will create a new password via email.
После регистрации вы можете задавать вопросы и отвечать на них, зарабатывая деньги. Ознакомьтесь с правилами, будем рады видеть вас в числе наших авторов!
Вы должны войти или зарегистрироваться, чтобы добавить ответ.
Принцип действия полупроводниковых фоторезисторов основан на явлении фотоэлектрического эффекта. Фотоэлектрический эффект возникает, когда свет попадает на поверхность полупроводника и вызывает выход электронов из материала.
В полупроводниковых фоторезисторах используется полупроводниковый материал, обычно кремний или германий, который имеет свойство изменять свою электрическую проводимость под воздействием света. Когда свет попадает на поверхность фоторезистора, энергия фотонов передается электронам в полупроводнике, что приводит к изменению его электрических свойств.
При освещении фоторезистора интенсивность света вызывает изменение электрического сопротивления полупроводника. В зависимости от типа фоторезистора, его сопротивление может увеличиваться или уменьшаться при увеличении интенсивности света. Это изменение сопротивления может быть измерено и использовано для получения информации о интенсивности света, например, для регулировки яркости экрана в телевизоре или для автоматического управления освещением в помещении.